NMOS结构示意图
如下图所示：
如上图所示，NMOS是用一块掺杂浓度较低的P型硅片作为衬底，利用扩散工艺在衬底上扩散出两个高掺杂浓度的N型区（N+），并在此N型区上引出两个欧姆接触电极，分别称为源极（s）和漏极（d）。在源极漏极之间的衬底表面覆盖一层二氧化硅（SiO2）绝缘层，叫栅氧化层或栅绝缘层，在此绝缘层上沉积出金属铝层并引出电极作为栅极（g）。从衬底引出一个欧姆电极称为衬底电极（B）。
在MOS管中，源极为提供载流子的端子，而漏极为接收载流子的端子。NMOS管的源极通常连接至电路的最低电位，而源极连接至电路的最高电位。
源极S和漏极D与衬底之间形成了两个PN结即两个二极管。
市面上出售的绝大多数NMOS，衬底B通常与源极S连接在一起，这样两个电极的电位是一致的，可以避免体效应引起的阈值电压的飘移。因为衬底B与源极S连接在一起，所以衬底B和源极S之间的二极管被短路，只剩下衬底B与漏极D之间的二极管，积源极S与漏极D之间的体二极管图如下所示。
观察该图，源极S处箭头方向为电子移动方向
体二极管（漏源二极管）有关的参数：
：二极管正向电流
：二极管正向电压
PMOS结构示意图
PMOS结构与上面的NMOS类似，源极S和漏极D与衬底B形成两个二极管，连接源极S和衬底B，源极S和衬底B之间的二极管被短路，只剩漏极D和衬底B之间的二极管即漏极D与源极S之间存在一个体二极管
PMOS的应用： 可以做电子开关：
当1接高电平，2接低电平时，栅极G为低电平，源极S为VCC高电平，PMOS导通；当1接低电平，2接高电平时，栅极G和源极S都为高电平，PMOS不导通，且体二极管方向为漏极D指向源极S，为截止状态。
Control端接低电平，三极管不导通，源极S和栅极G相连都为高电平，PMOS不导通；Control端接高电平，三极管导通，栅极G接地，源极S接高电平，PMOS导通。
防漏电:
由于Q1体二极管的存在，所以Q1的源极和Q2的源极与VCC相连都为高电平
EN端输入低电平，三极管截止，Q1和Q2的源极和栅极都为高电平，所以Q1和Q2都不导通，VOUT不输出。EN端输入高电平，三极管导通，Q1和Q2栅极接低电平，源极接高电平，都导通，VOUT输出。Q1和Q2的两个体二极管方向相反，使得能够完全关断电源而不漏电。
NMOS的应用： 做电子开关：
EN端为低电平，NMOS栅极和源极都为低电平，不导通。EN端为高电平，栅极为高电平，源极为低电平，导通。
NMOS的负载不能接在低端。若负载接在低端，EN为低，源极为低，不导通。EN为高，若导通则负载上端为高，可是这样栅极和源极都为高，那么不导通。（这样接必须加自举电路）
若用单片机控制MOS管，最好在控制脚处加一个100欧姆电阻。
NMOS等效示意图：
PMOS等效示意图：
MOS管参数：
：漏极D和源极S之间的电压。
:漏极D和源极S之间的等效电阻。越小越好，越小消耗的功率越小，发热越少。
：栅极G和源极S之间的电压阈值（门限电压）。
：持续漏极电流。
自举电路：
在NMOS管的源极S和漏极D之间接一个自举电容（BST电容）。
H为低电平时，L为高电平，上管关闭，下管导通，BST电容CBOOT通过VCC充电，充电时间为下管导通时间记作
；H为高电平时，L为低电平，下管关闭，由于电容两端电压不能突变，所以CBOOT上端电压被举起。如此上管栅极S电压就大于源极S电压，上管导通，此时VBOOT电压通过RBOOT和内部电路放电，放电时间为记作
BST电容的选型
要用好一点的电容，最好用COG，最次也要用X7R，大小不能太大也不能太小（0.1uF-1uF），控制好充放电时间。一般建议BST电容与一个小电阻（20欧姆）串联，来降低尖峰电压。但是阻抗变大会损失部分效率。
外部BST二极管提升效率
当占空比很高（大于等于0.65）时，可以使用一个外部BST二极管（1N4148）提升效率。可以使用2.5V和5V之间的一个电源给外部BST二极管供电，如下图所示。
