推挽驱动电路。
说说 IGBT 的推挽驱动电路！
1. 这一节课来学习 IGBT 的推挽驱动电路。这个就是 IGBT，目前行业上并没有它的固定画法，可以画成 MOS 管，也可以画成三极管。这里用 MOS 管的符号来代替，这个是 IGBT 的三极管。这里是 IGBT 的极电极 C，下面是发射极 E。R2 是一个负载，可以是灯泡，也可以是电机，也可以是变压器。
2. 如果给栅极 G 提供一个 12 伏以上的电压，就能够让集电极跟发射极导通。实际上为了更稳定的去触发 IGBT 或者 MOS 管，通常会用 15 伏的电压进行驱动。15 伏的电压一过来到栅极 G，就会对寄生电容 C2 进行充电。当它充到 15 伏的时候，IGBT 就能够实现稳定全开。
3. 但是 CPU 的输出往往只有 3.3 伏，所以这个电压不足以去驱动 IGBT 导通，因此会在中间加一个推挽驱动电路。下面来看一下这个电路是如何工作的。
- 首先 CPU 输出一个低电平，导致三极管截止，因此这个点的电压就等于电源电压 VCC。15 伏送过来，会使推挽电路的上管导通，15 伏就通过 RGB，这个叫驱动电阻使 IGBT 导通。
- 下面来看 CPU 输出的是高电频会是什么结果？如果 CPU 输出高电频，3.3 伏会让三极管导通。导通之后，上面的 15 伏就被拉低到 0 或者是 0.3 伏。0.6 伏低电平过来，会使下面三极管，这个是 PNP 管导通。导通之后寄生电容 C2 的电会快速通过下管泄放到地，从而实现 IGBT 的关断，这个就叫做推挽。推的时候通过上管把 15 伏推到栅极，挽的时候通过下管对地进行泄放。
4. 然后来看一下 Rg 跟 R1 起到的作用是什么？推管电路的输出端到 MOS 管或 IGBT 的栅极，存在一定长度的导线，这个导线会形成电感，电感会产生震荡，导致 IGBT 在触发过程中会有这种震荡，也就是说它会不稳定，加上这个电阻之后就可以让震荡的能量消除掉。这个电阻的取值一般不大，为十几欧或者几十欧。在关断 IGBT 的时候，由于这个电阻的存在，通过下管的能量可能会被限制，所以在这个上端其实可以加一个二极管，这个就是驱动电阻的作用。
5. 为了消除震荡，下面这个 R1 是为了防止寄生电容有电的时候会误触发，因为静电也有可能使寄生电容充电，所以加入 R1 可以把电容的电进行泄放。到底这个的电阻取值一般就比较大，可能是千欧级别，并且 R1 跟 Rg 会形成一个偏置电压，更好的去对 IGBT 进行触发。
6. 15 伏过来，经过它们两个电阻的分压，栅极的电压一定是较高的电位。这个就是 IGBT 的推挽驱动电路。
